深圳市建广半导体有限公司

产品参数： 系列：HEXFET?； FET类型：N 沟道； 技术：MOSFET（金属氧化物）； 电流-连续漏极（Id）（25°时）：49A（Tc）； 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V； 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μ ； 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：63nC @ 10V； 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1470pF @ 25V； Vgs（最大值）：±0V； 功率耗散（最大值）：94W（Tc）； 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：17.5 毫欧 @ 25A，10V； 工作温度：-55° ~ 175°（TJ）； 安装类型：通孔； 封装/外壳：TO220； 封装形式Package：TO-220AB； 极性Polarity：N-CH； 漏源极击穿电压VDSS：55V； 连续漏极电流ID：49A； 漏源电压（Vdss）：55V； 供应商器件封装：TO-220AB； 深圳市建广半导体有限公司成立于2014年，专业为各大厂家BOM配单，我们有专业技术团队与销售团队，为各大厂家与市场提供优质的服务。主要经营的产品有：电容、电阻、电感、钽电容、二极管、三极管、MOS管等贴片元件。产品主要是中国、日本、马来西亚、美国及台湾等国家及地区著名厂家的产品。专业服务17年与电子信息产业一起发展壮大，成为业界知名企业之一，广受各企业的一致好评。我们将一如既往，以优质的产品，合理的价格，准时的交货，热情为广大用户服务。高压MOS管厂家批发的详情，欢迎来电咨询建广半导体客服。 网上供应高压MOS管价格为系统默认价格，如需了解更多具体高压MOS管现货产品及价格，欢迎来电咨询建广半导体客服。